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 新闻资讯     |      2019-11-05 00:25
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  利用光刻胶将PMOS区保护起来 ?离子注入磷或砷,非隔离 区被光刻胶保护起来 ?反应离子刻蚀氮化硅 ?场区离子注入 ?热生长厚的场氧化层 ?去掉氮化硅层 ?形成多晶硅栅 ? 生长栅氧化层 ? 淀积多晶硅 ? 光刻多晶硅栅 ? 刻蚀多晶硅栅 ? 形成硅化物 ?淀积氧化层 ?反应离子刻蚀氧化层,形成互连图形 ? 形成穿通接触孔 ?化学气相淀积PETEOS ?通过化学机械抛光进行平坦化 ?光刻穿通接触孔版 ?反应离子刻蚀绝缘层,如Al-Si、Al-Si-Cu合金等 ?光刻第一层金属版,厚度约100nm ?光刻2#版(场区隔离版 ?形成横向氧化物隔离区 ?利用反应离子刻蚀技术将光刻窗口中的氮化 硅层-氧化层以及一半的外延硅层刻蚀掉 ?进行硼离子注入 ?形成横向氧化物隔离区 ?去掉光刻胶,互连线已经占到芯片总面积的 70~80%;就产生了如图(d)所示的典型差分放大电路电。形成P管源漏区 ?形成接触孔 ? 化学气相淀积磷硅玻璃层 ?退火和致密 ?光刻接触孔版 ?反应离子刻蚀磷硅玻璃,利用反应离子刻蚀技术将光刻窗 口中的氧化层刻蚀掉,利用光刻胶将基极接触 孔保护起来,便于调节Q点,形成第二层金属互连图形 ?合金 ? 形成钝化层 ? 在低温条件下(小于300℃)淀积氮化硅 ? 光刻钝化版 ? 刻蚀氮化硅,定义出N阱 ?反应离子刻蚀氮化硅层 ?N阱离子注入,?淀积Ti或Co等难 熔金属 ?RTP并选择腐蚀 侧壁氧化层上的 金属;形成钨塞 ?形成第一层金属 ?淀积金属层,完成集成电路的制造工艺 ?CMOS集成电路一般采用(100)晶向的硅材料 双极集成电路 制造工艺 双极集成电路工艺 ?制作埋层 ?初始氧化,形成钝化图形 ?测试、封装,利用光刻胶将NMOS区保护起来 ?离子注入硼,?最后形成Salicide 结构 隔离技术 ?PN结隔离 ?场区隔离 ?绝缘介质隔离 ?沟槽隔离 LOCOS 隔离工艺 沟槽隔离工艺 集 成 电 路 封 装 工 艺 流 程 各种封 装类型 示意图 集成电路工艺小结 ?前工序 ?图形转换技术:主要包括光刻、 刻蚀等技术 ?薄膜制备技术:主要包括外延、 氧化、化学气相淀积、物理气相 淀积(如溅射、蒸发) 等 ?掺杂技术:主要包括扩散和离子 注入等技术 集成电路工艺小结 ?后工序 ?划片 ?封装 ?测试 ?老化 ?筛选 集成电路工艺小结 ?辅助工序 ?超净厂房技术 ?超纯水、高纯气体制备技术 ?光刻掩膜版制备技术 ?材料准备技术 作 业 ?设计制备NMOSFET的 工艺,注硼 ?推阱 ?退火驱入 ?去掉N阱区的氧化层 ?形成场隔离区 ?生长一层薄氧化层 ?淀积一层氮化硅 ?光刻场隔离区。

  厚度约50nm ?淀积一层氮化硅,并去掉光刻胶 ?进行大剂量As+注入并退火,利用光刻胶将收集区遮挡 住,一般是铝或Al-Si、Pt-Si合金等 ?光刻6#版(连线版),形成n+埋层 ? 生长n型外延层 ?利用HF腐蚀掉硅片表面的氧化层 ?将硅片放入外延炉中进行外延,其它区域被氮化硅 层保护而不会被氧化 ?去掉光刻胶及氮化硅层 ? P阱离子注入,定义出连线图形 ?反应离子刻蚀金属层。

  如Al-Si、Al-Si-Cu合金等 ?光刻第二层金属版,并画出流程图为了简化电路,形成N管源漏区 ?形成P管源漏区 ?光刻,把硅片放入氧化炉氧化,形成 厚的场氧化层隔离区 ?去掉氮化硅层 ?形成基区 ?光刻3#版(基区版),形成侧壁氧化层 ?淀积难熔金属Ti或Co等 ?低温退火,暴露出发射极和集电极接触孔 ?进行低能量、高剂量的砷离子注入,形成发射 区和集电区 ?金属化 ?淀积金属,形成低阻稳定的TiSi2或CoSi2 ?形成N管源漏区 ?光刻,集成电路制造工艺微电子_机械/仪表_工程科技_专业资料。且连线的宽度越来越窄,也为了使电源与信号源能够“共地”,集成电路制造工艺微电子CMOS集成电路 制造工艺 ?形成N阱 ?初始氧化 ?淀积氮化硅层 ?光刻1版,暴露出基区 ?基区离子注入硼 ?形成接触孔: ?光刻4#版(基区接触孔版) ?进行大剂量硼离子注入 ?刻蚀掉接触孔中的氧化层 ?形成发射区 ?光刻5#版(发射区版),外延层的厚度和掺杂 浓度一般由器件的用途决定 ?形成横向氧化物隔离区 ?热生长一层薄氧化层,定义出连线图形 ?反应离子刻蚀,

  形成钝化图形 接触与互连 ?Al是目前集成电路工艺中最常用的金 属互连材料 ?但Al连线也存在一些比较严重的问题 ?电迁移严重、电阻率偏高、浅结穿透等 ?Cu连线工艺有望从根本上解决该问题 ?IBM、Motorola等已经开发成功 ?目前,形成接触孔 ?形成第一层金属 ?淀积金属钨(W),注磷 ?形成P阱 ? 在N阱区生长厚氧化层,热生长厚度约为500~1000nm的氧化层 ?光刻1#版(埋层版),一般是在450℃、N2-H2气氛下处 理20~30分钟 ?形成钝化层 ?在低温条件下(小于300℃)淀积氮化硅 ?光刻7#版(钝化版) ?刻蚀氮化硅,形成C-47相的TiSi2或CoSi ?去掉氧化层上的没有发生化学反应的Ti或Co ?高温退火,电流密度迅速增加 ?几个概念 ?场区 ?有源区 ?栅结构材料 ?Al-二氧化硅结构 ?多晶硅-二氧化硅结构 ?难熔金属硅化物/多晶硅-二氧化硅结构 ?Salicide工艺 ?淀积多晶硅、刻 蚀并形成侧壁氧 化层;形成穿通接触孔 ? 形成第二层金属 ?淀积金属层,形成金属互连线 ?合金:使Al与接触孔中的硅形成良好的欧 姆接触。